G60N60UFD Power IGBT Transistor 600V 60A

الوصف

G60N60UFD Power IGBT Transistor 600V 60A G60N60UFD is a power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) used for high-voltage, high-current switching applications. It is typically rated for: 600V collector-to-emitter voltage 60A continuous collector current Fast switching performance Low conduction loss (field-stop design) Built-in ultrafast anti-parallel diode Common applications include: Solar inverters Motor drives UPS systems Welding machines Power factor correction (PFC) Induction heating It is designed to switch large amounts of electrical power efficiently in industrial and heavy-duty electronics. Pinout Usually supplied in a TO-3P package . When facing the flat front side with the legs pointing downward: Pin 1 — Gate (G) Pin 2 — Collector (C) Pin 3 — Emitter (E) The metal tab on the back is connected to the Collector . الـ G60N60UFD هو ترانزستور قدرة نوع IGBT بيستخدم في دوائر الجهد العالي والتيار العالي علشان يشغّل ويفصل الكهرباء بكفاءة. مواصفاته تقريبًا: بيتحمل لحد 600 فولت تيار مستمر لحد 60 أمبير سرعة فصل وتشغيل عالية فقد طاقة قليل فيه دايود سريع مدمج للحماية بيستخدموه في: انفرترات الطاقة الشمسية درايفات المواتير أجهزة UPS ماكينات اللحام دوائر تحسين معامل القدرة أجهزة التسخين بالحث ترتيب الأرجل (Pinout) بييجي غالبًا في جسم TO-3P أو TO-247 . وإنت باصص على وشه الأمامي والرجول لتحت: الرجل 1 — Gate (البوابة) الرجل 2 — Collector (المجمّع) الرجل 3 — Emitter (الباعث) واللوح المعدني اللي ورا متوصل داخليًا بالـ Collector .

من صفحة المورد.