G40N60UFD IGBT Transistor – 600V 40A IGBT with Ultra-Fast Diode

الوصف

G40N60UFD IGBT Transistor – 600V 40A IGBT with Ultra-Fast Diode What it is The G40N60UFD is a high-voltage Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) rated at 600V and 40A . It is designed for high-power switching applications and includes an ultra-fast recovery diode (UFD) integrated in the same package, making it well suited for inverter and motor control circuits. Key Features 600V Collector-Emitter voltage (Vce) 40A continuous collector current Integrated ultra-fast soft recovery diode Low conduction losses Low switching losses Typically available in TO-247 package Typical Applications Motor drives Solar inverters UPS systems Induction heating equipment Switching power supplies Pinout Front view (flat side facing you, pins downward): Gate (G) – Controls the switching Collector (C) – High-voltage input Emitter (E) – Output to load/ground Back metal tab: Collector الـ G40N60UFD – ترانزستور IGBT بقدرة 600 فولت و40 أمبير مع دايود سريع هو إيه؟ الـ G40N60UFD هو ترانزستور قدرة نوعه IGBT بقدرة 600 فولت و40 أمبير . معمول لتطبيقات السويتشينج عالية القدرة، ومُدمج معاه دايود سريع جدًا في الاسترجاع (Ultra-Fast Diode) داخل نفس العبوة، وده بيخليه مناسب لدوائر الإنفرتر والتحكم في الموتورات. المميزات جهد مجمع-باعث 600 فولت تيار مستمر لحد 40 أمبير دايود مدمج سريع الاسترجاع فقد قليل أثناء التوصيل فقد قليل أثناء السويتشينج غالبًا بييجي في عبوة TO-247 الاستخدامات الشائعة تشغيل الموتورات إنفرترات الطاقة الشمسية أجهزة UPS أجهزة التسخين الحثي مزودات الطاقة Switching ترتيب الأرجل من الأمام والكتابة قدامك والأرجل لتحت: البوابة (Gate) – مسؤولة عن التحكم في السويتشينج المجمع (Collector) – دخل الجهد العالي الباعث (Emitter) – خارج للحمل أو الأرضي الظهر المعدني (التب): متوصل بالمجمع

من صفحة المورد.