SPS03N60C3 (03N60C3) CoolMOS N-Channel Power MOSFET – 600V 3.2A (TO-251 / PG-TO251-3-11)

الوصف

SPS03N60C3 (03N60C3) CoolMOS N-Channel Power MOSFET – 600V 3.2A (TO-251 / PG-TO251-3-11) The SPS03N60C3 , commonly marked as 03N60C3 , is a high-voltage CoolMOS N-Channel power MOSFET designed for efficient switching in compact power designs. It is optimized for fast switching performance with ultra-low gate charge , helping reduce switching losses and easing the requirements on gate driver circuits. With a drain-source voltage rating up to 600V (and noted in some specifications as 650V at maximum junction temperature ) and a continuous drain current of 3.2A , this MOSFET is a practical choice for high-voltage switching stages in power supplies, auxiliary converters, and similar applications. Its periodic avalanche capability and extreme dv/dt ruggedness support reliable operation under demanding transient conditions. The device comes in a compact TO-251 (PG-TO251-3-11) package, making it suitable for space-efficient layouts while maintaining stable thermal and electrical performance. Key Features CoolMOS high-voltage technology Ultra-low gate charge (Qg) for efficient drive and reduced switching loss Very fast switching behavior (low rise time) Periodic avalanche rated for better robustness Extreme dv/dt rated for improved reliability in fast switching stages High peak current capability Improved transconductance for stable control Absolute Maximum Ratings Parameter Value Drain-Source Voltage (VDS) 600 V (some specs mention 650 V at TJ max) Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V Drain Current (ID) 3.2 A Power Dissipation (PD) 38 W Max Junction Temperature (TJ) 150°C Electrical Characteristics Parameter Value Gate Threshold Voltage (VGS(th)) up to 3.9 V Total Gate Charge (Qg) 13 nC Rise Time (tr) 3 ns Output Capacitance (Coss) 150 pF RDS(on) up to 1.4 Ω Package & Marking Package: TO-251 / PG-TO251-3-11 Marking Code: 03N60C3 Type: N-Channel MOSFET ترانزستور قدرة موسفت قناة إن (كول موس) إس بي إس ٠٣ إن ٦٠ سي ٣ – ٦٠٠ فولت ٣٫٢ أمبير (تي أو ٢٥١) القطعة إس بي إس ٠٣ إن ٦٠ سي ٣ والمعروفة بكود الطباعة ٠٣ إن ٦٠ سي ٣ هي موسفت قدرة قناة إن بتقنية كول موس مخصصة لدوائر التبديل ذات الجهد العالي مع كفاءة مرتفعة. تم تصميمها لتقديم أداء تبديل سريع مع شحنة بوابة منخفضة جدًا ، مما يقلل فاقد التبديل ويسهّل قيادة البوابة في الدوائر العملية. تدعم هذه القطعة جهدًا حتى ٦٠٠ فولت (ويُذكر في بعض المواصفات ٦٥٠ فولت عند أقصى حرارة للوصلة ) مع تيار تشغيل مستمر يصل إلى ٣٫٢ أمبير ، لذلك فهي مناسبة لمراحل التبديل في مزودات الطاقة، وحدات التحويل المساعدة، ودوائر التحكم ذات الجهد العالي. كما تتميز بقدرة تحمّل جيدة للنبضات والارتفاعات المفاجئة بفضل تصنيف الانهيار الدوري ومقاومة عالية لتغير الجهد السريع. وتأتي في تغليف تي أو ٢٥١ المدمج، ما يجعلها مناسبة للتصميمات الصغيرة مع الحفاظ على استقرار الأداء الكهربائي والحراري. أهم المميزات تقنية كول موس للجهود العالية شحنة بوابة منخفضة جدًا لتحسين الكفاءة وتقليل الفاقد تبديل سريع جدًا تحمّل جيد للنبضات والارتفاعات المفاجئة (انهيار دوري) مقاومة عالية لتغير الجهد السريع قدرة تيار لحظي مرتفعة تحكم أفضل بفضل تحسّن معامل النقل الحدود القصوى البند القيمة جهد المصرف إلى المصدر ٦٠٠ فولت (وقد يُذكر ٦٥٠ فولت عند أقصى حرارة) جهد البوابة إلى المصدر ±٢٠ فولت تيار المصرف ٣٫٢ أمبير القدرة القصوى للتبديد ٣٨ وات أقصى حرارة للوصلة ١٥٠ درجة الخصائص الكهربائية البند القيمة جهد عتبة البوابة حتى ٣٫٩ فولت شحنة البوابة الكلية ١٣ نانوكولوم زمن الصعود ٣ نانوثانية سعة الخرج ١٥٠ بيكوفاراد مقاومة التشغيل حتى ١٫٤ أوم التغليف والكود التغليف: تي أو ٢٥١ كود الطباعة: ٠٣ إن ٦٠ سي ٣ النوع: موسفت قناة إن

من صفحة المورد.