SSP4N60 N-Channel Power MOSFET 600V 4A TO-220

الوصف

SSP4N60 N-Channel Power MOSFET 600V 4A TO-220 The SSP4N60 is a high-voltage N-Channel Power MOSFET designed for efficient switching in power electronics. With a 600V drain-source rating and up to 4A continuous drain current , it’s a solid choice for offline SMPS stages, DC-DC converters, and general high-voltage switching applications. This MOSFET comes in a TO-220 package that supports practical heat-sinking for higher power operation. It features a maximum power dissipation of 75W (with proper thermal conditions) and a maximum junction temperature of 150°C , making it suitable for demanding designs. For gate drive and switching behavior, the device offers a total gate charge (Qg) of 25nC , supporting reasonable switching speed and driver requirements. The rise time is up to 150ns , while the output capacitance (Coss) is 40pF , helping reduce switching losses in many high-voltage converter topologies. The gate threshold voltage (VGS(th)) is up to 4.5V , and the MOSFET is rated for ±20V gate-source voltage (VGS) . On the conduction side, the maximum RDS(on) is 2.5Ω , which is typical for 600V MOSFETs in this current class and should be considered when estimating conduction losses at your operating current and temperature. Key Specs (Quick View) Type: N-Channel Power MOSFET VDS: 600V ID: 4A PD: 75W VGS: ±20V Tj: 150°C VGS(th): up to 4.5V RDS(on): up to 2.5Ω Qg: 25nC tr: up to 150ns Coss: 40pF Package: TO-220 موسفت قدرة قناة إن 600 فولت 4 أمبير عبوة تي أو 220 (SSP4N60) إس إس بي 4 إن 60 (SSP4N60) هو ترانزستور قدرة من نوع موسفت بقناة إن ، مخصص لتطبيقات التبديل عالي الجهد في دوائر إلكترونيات القدرة. يتميز بقدرة تحمل جهد حتى 600 فولت بين المصرف والمصدر، مع تيار مصرف أقصى 4 أمبير ، مما يجعله مناسبًا لدوائر مزوّدات الطاقة التبديلية، ومحولات التيار، ومراحل التبديل في كثير من تطبيقات القدرة. يأتي هذا الموسفت في عبوة تي أو 220 المناسبة للتركيب مع مشتت حراري عند الحاجة، ويدعم قدرة تبديد تصل إلى 75 وات وفق شروط التبريد المناسبة. كما أن أقصى درجة حرارة للوصلة الداخلية 150 درجة مئوية لتوافق ظروف التشغيل القاسية نسبيًا في تطبيقات القدرة. من ناحية قيادة البوابة وسلوك التبديل، يمتلك شحنة بوابة كلية 25 نانوكولوم لتوازن جيد بين سرعة التبديل ومتطلبات دائرة القيادة. كذلك يصل زمن الصعود إلى 150 نانوثانية كحد أقصى ، وتبلغ سعة الخرج 40 بيكوفاراد بما يساعد على تحسين أداء التبديل في كثير من الدوائر عالية الجهد. كما أن جهد عتبة البوابة يصل إلى 4.5 فولت كحد أقصى ، مع تحمل جهد بين البوابة والمصدر حتى 20 فولت . أما في حالة التوصيل، فإن مقاومة التوصيل بين المصرف والمصدر تصل إلى 2.5 أوم كحد أقصى ، وهي قيمة شائعة ضمن فئة موسفت 600 فولت بهذا التيار، ويُفضَّل مراعاتها عند حساب الفقد الحراري أثناء التشغيل. ملخص النوع: موسفت قدرة بقناة إن جهد المصرف إلى المصدر: 600 فولت تيار المصرف: 4 أمبير قدرة التبديد: 75 وات جهد البوابة إلى المصدر: 20 فولت أقصى حرارة للوصلة: 150 درجة مئوية جهد عتبة البوابة: حتى 4.5 فولت مقاومة التوصيل: حتى 2.5 أوم شحنة البوابة الكلية: 25 نانوكولوم زمن الصعود: حتى 150 نانوثانية سعة الخرج: 40 بيكوفاراد العبوة: تي أو 220

من صفحة المورد.