FQPF6N90 High-Voltage N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) – TO-220F

From the shop's description

FQPF6N90 High-Voltage N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) – TO-220F The FQPF6N90 is a high-voltage N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for reliable switching in high-energy power circuits. With a 900V drain-to-source rating and a 3.4A continuous drain current , it’s a strong choice for applications that require efficient control of high-voltage loads, especially in compact power supply designs. This MOSFET supports up to 56W maximum power dissipation , making it suitable for demanding thermal conditions when properly mounted and cooled. It also features a low gate charge (Qg = 40nC) which helps improve switching efficiency, and fast switching behavior with a rise time of 80ns , supporting cleaner transitions in high-frequency power stages. In addition, the RDS(on) up to 1.9Ω and Coss of 140pF provide predictable performance during switching, while the ±30V gate-source limit and 150°C maximum junction temperature ensure durability in real-world designs. The device comes in a TO-220F package , which offers good isolation and practical mounting for power electronics projects. Key Ratings & Specs MOSFET Type: N-Channel, Enhancement Mode VDS (Max): 900V ID (Max): 3.4A PD (Max): 56W VGS (Max): ±30V Tj (Max): 150°C VGS(th) (Max): 5V Qg: 40nC tr: 80ns Coss: 140pF RDS(on) (Max): 1.9Ω Package: TO-220F ترانزستور MOSFET قدرة عالي الجهد FQPF6N90 – قناة N (تشغيل بالتعزيز) – TO-220F يُعد FQPF6N90 ترانزستور قدرة من نوع MOSFET قناة N بنمط التشغيل بالتعزيز ، ومُصمم للعمل بكفاءة داخل دوائر القدرة ذات الجهد العالي. يتميز بتحمل جهد بين المصرف والمصدر حتى 900 فولت مع تيار مصرف أقصى 3.4 أمبير ، مما يجعله مناسبًا للتحكم في الأحمال عالية الجهد داخل تطبيقات القدرة المختلفة. يدعم هذا المكوّن قدرة تبديد حراري تصل إلى 56 وات (حسب ظروف التبريد والتركيب)، كما يتميز بشحنة بوابة منخفضة نسبيًا (40 نانو كولوم) تساعد على تحسين كفاءة التبديل وتقليل الفاقد. ويقدم أيضًا أداءً سريعًا في التبديل مع زمن صعود 80 نانو ثانية ، ما يجعله مناسبًا لدوائر التقطيع ومراحل القدرة التي تعمل بترددات أعلى. بالإضافة إلى ذلك، توفر قيمة مقاومة التشغيل حتى 1.9 أوم مع سعة خرج 140 بيكو فاراد أداءً متوقعًا أثناء التبديل، مع قدرة تحمل جهد بوابة حتى ±30 فولت ودرجة حرارة وصلة قصوى 150 درجة مئوية لزيادة الاعتمادية. يأتي في باكيدج TO-220F المعزول والعملي للتركيب في دوائر القدرة. أهم المواصفات النوع: MOSFET قناة N – تشغيل بالتعزيز الجهد الأقصى VDS: 900 فولت التيار الأقصى ID: 3.4 أمبير قدرة التبديد PD: 56 وات جهد البوابة VGS: ±30 فولت الحرارة القصوى Tj: 150°م حد جهد تشغيل البوابة VGS(th): حتى 5 فولت شحنة البوابة Qg: 40 نانو كولوم زمن الصعود tr: 80 نانو ثانية سعة الخرج Coss: 140 بيكو فاراد مقاومة التشغيل RDS(on): حتى 1.9 أوم الباكدج: TO-220F