
G80N60UFD 600V 80A IGBT Transistor with Fast Recovery Diode (CO-PAK)
Part number G80N60UFD
Price may be out of date. Last checked 74 days ago. Confirm it on the shop's page.
From the shop's description
G80N60UFD 600V 80A IGBT Transistor with Fast Recovery Diode (CO-PAK) The G80N60UFD is a high-performance N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for demanding power switching applications. Rated at 600V and 80A , it belongs to Fairchild’s UFD series , which is optimized for low conduction losses and reduced switching losses —especially in circuits that require high-speed switching such as motor drives and inverter stages. A key advantage of the G80N60UFD is the integrated Fast Recovery Diode (FRD) built into the same package ( CO-PAK ), helping simplify circuit design and improve efficiency in power conversion systems. Its low saturation voltage contributes to higher efficiency and reduced heat generation under load, while the high input impedance enables easier gate drive requirements. Key Features High-speed switching performance Low saturation voltage: VCE(sat) ≈ 2.1V at IC = 40A Integrated Fast Recovery Diode (FRD) in CO-PAK Fast diode recovery: trr ≈ 50 ns (typical) High input impedance for easier gate drive Optimized for low conduction and switching losses Typical Applications Motor control and motor drives General-purpose inverters High-voltage power conversion stages Industrial switching and power management G80N60UFD ترانزستور IGBT ٦٠٠ فولت ٨٠ أمبير مع دايود استرجاع سريع (CO-PAK) القطعة G80N60UFD هي ترانزستور IGBT قناة إن مخصص لدوائر القدرة التي تتطلب تبديلًا سريعًا وكفاءة عالية. تعمل بجهد حتى ٦٠٠ فولت وتيار يصل إلى ٨٠ أمبير ، وتنتمي إلى سلسلة يو اف دي المصممة لتقليل فاقد التوصيل وفاقد التبديل، وهو ما يجعلها مناسبة جدًا لمراحل القدرة في الإنفرترات ودوائر تشغيل المحركات. من أهم مميزات هذه القطعة وجود دايود استرجاع سريع مدمج داخل نفس التغليف سي أو باك ، مما يساعد على تبسيط التصميم وتحسين كفاءة دوائر تحويل القدرة. كما أن انخفاض جهد التشبع يقلل الحرارة الناتجة أثناء التشغيل، بينما تساهم مقاومة الدخل العالية في تسهيل قيادة البوابة داخل الدائرة. أهم المميزات تبديل سريع مناسب لدوائر القدرة جهد تشبع منخفض حوالي ٢٫١ فولت عند تيار ٤٠ أمبير دايود استرجاع سريع مدمج داخل نفس التغليف زمن استرجاع سريع للدايود حوالي ٥٠ نانوثانية (قيمة نموذجية) مقاومة دخل عالية لتسهيل قيادة البوابة أداء كفء مع فاقد توصيل وتبديل أقل الاستخدامات الشائعة تشغيل والتحكم في المحركات الإنفرترات العامة مراحل تحويل القدرة بجهد عالي أنظمة القدرة الصناعية وإدارة الطاقة
Read moreShow less
Similar products
- HGTP20N60C3EGP 1101 shopchecked 12 days ago
2SK1516 N-Channel MOSFET Transistor 500V 10A TO-3PEGP 1101 shopchecked 17 days ago
BUZ50 N-Channel MOSFET Transistor 1000V 2.5A TO-220EGP 1151 shopchecked 16 days ago
IRFP450 N-Channel MOSFET TransistorEGP 1151 shopPrice may be out of date (74 days)
G50N60RUFD IGBT Transistors 600V 50A TO-264EGP 1151 shopchecked 18 days ago
MLG60T65FUK 60T65 60A 650V TO-247 IGBT transistorEGP 1201 shopchecked 13 days ago
DG210N06 210N06 TO-247 210A 60V N-CHANNEL MOSFETEGP 1001 shopPrice may be out of date (74 days)
K75EEH5 IGBT Transistor 650V 75A PG-TO247-3EGP 1201 shopchecked 18 days ago