
7N70C (SIF7N70C) 700V 7A N-Channel Power MOSFET – High-Voltage Switching
Price may be out of date. Last checked 74 days ago. Confirm it on the shop's page.
From the shop's description
7N70C (SIF7N70C) 700V 7A N-Channel Power MOSFET – High-Voltage Switching The 7N70C (type designator: SIF7N70C ) is a high-voltage N-Channel power MOSFET designed for efficient switching in circuits operating up to 700V . With a continuous drain current capability of 7A , it is suitable for high-voltage power stages in SMPS, converters, and industrial switching applications where reliability and thermal performance are essential. This MOSFET is built to handle demanding switching conditions while offering practical efficiency characteristics. Its RDS(on) helps manage conduction losses, and its moderate total gate charge (Qg) supports controlled switching behavior in high-voltage designs. It is commonly available in multiple package options including TO-220, TO-220FP, TO-262, and TO-263 , giving flexibility for through-hole or surface-mount power layouts depending on the design requirements. Key Features High voltage rating: 700V (VDS) Continuous drain current: 7A (ID) RDS(on): up to 1.35Ω (max) Total gate charge (Qg): 24 nC Designed for high-voltage switching and power conversion Multiple package options for flexible mounting Absolute Maximum Ratings Parameter Value Drain-Source Voltage (VDS) 700 V Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V Drain Current (ID) 7 A Max Power Dissipation (PD) 147 W Max Junction Temperature (TJ) 150°C Electrical Characteristics Parameter Value Total Gate Charge (Qg) 24 nC RDS(on) up to 1.35 Ω Package Options TO-220 / TO-220FP / TO-262 / TO-263 Typical Applications High-voltage SMPS Power converters and switching stages Inverters and industrial power electronics HV switching and control circuits 7N70C (SIF7N70C) 700V 7A N-Channel Power MOSFET للتبديل بجهد عالي القطعة 7N70C (type designator: SIF7N70C ) هي N-Channel power MOSFET مخصصة لدوائر التبديل والتحويل التي تعمل حتى 700V . تدعم تيار تشغيل مستمر حتى 7A ، لذلك فهي مناسبة لمراحل القدرة في مزودات الطاقة، دوائر التحويل، وتطبيقات التبديل الصناعية التي تحتاج اعتمادية وتحمل حراري جيد. تساعد قيمة RDS(on) على تقليل فاقد التوصيل داخل الدائرة، كما أن Qg المتوسطة تساهم في أداء تبديل منضبط في تصميمات الجهد العالي. وتتوفر هذه القطعة بعدة تغليفات مثل TO-220 و TO-220FP و TO-262 و TO-263 لتناسب طرق تركيب مختلفة حسب التصميم. أهم المميزات جهد تشغيل حتى 700V (VDS) تيار تشغيل حتى 7A (ID) RDS(on) حتى 1.35Ω (حد أقصى) Qg حوالي 24 nC مناسبة لدوائر التبديل والتحويل بجهد عالي تغليفات متعددة لمرونة التركيب الحدود القصوى البند القيمة VDS 700 V VGS ±30 V ID 7 A PD 147 W TJ 150°C الخصائص الكهربائية البند القيمة Qg 24 nC RDS(on) حتى 1.35 Ω التغليفات المتاحة TO-220 / TO-220FP / TO-262 / TO-263 الاستخدامات الشائعة مزودات طاقة بجهد عالي SMPS دوائر التحويل والتبديل تطبيقات صناعية للقدرة دوائر تحكم وتبديل بجهد عالي
Read moreShow less
Similar products
IRF630 N-Channel MOSFET, 9A, 200V, 3-Pin TO-220EGP 203 shopschecked 19 days ago
FQPF20N60 20A 600V N-Channel MOSFETEGP 20 – 252 shopschecked 22 days ago
IRF840 N-Channel MOSFET 8A 500V 0.85Ω TO-220ABEGP 20 – 303 shopschecked 19 days ago
IRF3205 high current N-Channel MOSFET TransistorEGP 201 shopPrice may be out of date (74 days)
IRF9530N MOSFET (100V, 12A)EGP 20 – 30.692 shopschecked 11 days ago
FQB60N06 Mosfet C-N 60V 60AEGP 201 shopPrice may be out of date (74 days)
IRF3205 N-Channel Power MOSFET Transistor 55V 110A 8mΩ TO-220 (Original)EGP 20 – 304 shopschecked 11 days ago
IRF830 N-Channel MOSFET, 8A, 500V, 3-Pin TO-220EGP 201 shopchecked 22 days ago