G40N60UFD IGBT Transistor – 600V 40A IGBT with Ultra-Fast Diode

G40N60UFD IGBT Transistor – 600V 40A IGBT with Ultra-Fast Diode What it is The G40N60UFD is a high-voltage Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) rated at 600V and 40A . It is designed for high-power switching applications and includes an ultra-fast recovery diode (UFD) integrated in the same package, making it well suited for inverter and motor control circuits. Key Features 600V Collector-Emitter voltage (Vce) 40A continuous collector current Integrated ultra-fast soft recovery diode Low conduction losses Low switching losses Typically available in TO-247 package Typical Applications Motor drives Solar inverters UPS systems Induction heating equipment Switching power supplies Pinout Front view (flat side facing you, pins downward): Gate (G) – Controls the switching Collector (C) – High-voltage input Emitter (E) – Output to load/ground Back metal tab: Collector الـ G40N60UFD – ترانزستور IGBT بقدرة 600 فولت و40 أمبير مع دايود سريع هو إيه؟ الـ G40N60UFD هو ترانزستور قدرة نوعه IGBT بقدرة 600 فولت و40 أمبير . معمول لتطبيقات السويتشينج عالية القدرة، ومُدمج معاه دايود سريع جدًا في الاسترجاع (Ultra-Fast Diode) داخل نفس العبوة، وده بيخليه مناسب لدوائر الإنفرتر والتحكم في الموتورات. المميزات جهد مجمع-باعث 600 فولت تيار مستمر لحد 40 أمبير دايود مدمج سريع الاسترجاع فقد قليل أثناء التوصيل فقد قليل أثناء السويتشينج غالبًا بييجي في عبوة TO-247 الاستخدامات الشائعة تشغيل الموتورات إنفرترات الطاقة الشمسية أجهزة UPS أجهزة التسخين الحثي مزودات الطاقة Switching ترتيب الأرجل من الأمام والكتابة قدامك والأرجل لتحت: البوابة (Gate) – مسؤولة عن التحكم في السويتشينج المجمع (Collector) – دخل الجهد العالي الباعث (Emitter) – خارج للحمل أو الأرضي الظهر المعدني (التب): متوصل بالمجمع

G40N60UFD IGBT Transistor 600V 40A 160W TO-3P The G40N60UFD IGBT Transistor 600V 40A 160W TO-3P is an ultrafast Insulated Gate Bipolar Transistor designed for high-speed power switching applications. The supplied datasheet identifies the corresponding device as FGA40N60UFD and specifies a 600V collector-emitter voltage rating, 40A continuous collector current at a case temperature of 25°C, and 160W maximum power dissipation at 25°C. Features: Fast Switching. Low VCE(sat). Positive temperature coefficient. Fast recovery anti-parallel diode. Specifications: Parameter Value Device Type Ultrafast IGBT. Collector-Emitter Voltage (VCES) 600V. Gate-Emitter Voltage (VGES) ±20V. Collector Current (IC) at TC=25°C 40A. Collector Current (IC) at TC=100°C 20A. Pulsed Collector Current (ICM) 160A. Diode Continuous Forward Current (IF) at TC=100°C 15A. Diode Maximum Forward Current (IFM) 160A. Maximum Power Dissipation at TC=25°C 160W. Maximum Power Dissipation at TC=100°C 64W. Operating Junction Temperature -55°C to +150°C. Storage Temperature -55°C to +150°C. VGE Threshold Voltage 3.5V to 6.5V. VCE(sat) at IC=20A 2.3Vtyp., 3.0Vmax. VCE(sat) at IC=40A 3.1Vtyp. Input Capacitance (Cies) 1075pFtyp. Output Capacitance (Coes) 170pFtyp. Reverse Transfer Capacitance (Cres) 50pFtyp. Total Gate Charge (Qg) 77nCtyp., 150nCmax. Gate-Emitter Charge (Qge) 20nCtyp., 30nCmax. Gate-Collector Charge (Qgc) 25nCtyp., 40nCmax. Diode Forward Voltage (VFM) 1.4Vtyp. at IF=15A. Diode Reverse-Recovery Time (trr) 50nstyp., 95nsmax. Thermal Resistance Junction-to-Case, IGBT 0.77°C/W. Thermal Resistance Junction-to-Case, Diode 1.7°C/W. Package TO-3P. Mounting Type Through-hole. Pin Configuration: Applications: Welding converters UPS Boost Chopper Air condition Datasheet: G40N60UFD